熱分解窒化ホウ素ルツボ (VGF 型) – PBN VGF ルツボ
PBN VGF ルツボは、CVD 法で製造された超高純度（99.999%）の窒化ホウ素製ルツボで、GaAs・InP などの化合物半導体単結晶成長に最適です。高い熱安定性と低脱ガス特性により、汚染のない安定した結晶成長環境を提供します。
基本パラメータ
| 特性 | 数値 |
|---|---|
| 製品グレード | PBN VGF ルツボ |
| 材質 | 熱分解窒化ホウ素 (PBN) |
| 純度 | 99.999% |
| 見掛け密度 | 1.95 – 2.21 g/cm³ |
| 用途 | 化合物半導体単結晶成長 (GaAs, InP)、オプトエレクトロニクス材料加工 |
| 寸法 | ID 2″–8″、高さ 200–400 mm、壁厚 0.7–1.2 mm（カスタマイズ可能） |
製品概要
PBN VGF ルツボは、垂直温度勾配凝固法(VGF)による単結晶成長用に設計されており、GaAs、InP をはじめとする化合物半導体に広く利用されています。
化学気相成長（CVD）法により製造された超高純度（99.999%）の窒化ホウ素を用い、緻密・非多孔質・化学的に不活性な構造を有します。
高い熱安定性、優れた耐薬品性、極めて低い脱ガス特性を備えており、汚染のない環境を実現することで、安定した結晶成長品質を保証します。
半導体、オプトエレクトロニクス、先端材料産業において不可欠な部材です。
主な特長
•純度 最大 99.999%
•高温下でも極めて低い脱ガス率
•均一な肉厚により安定した加熱を実現
•優れた熱伝導性と耐熱衝撃性
•洗浄が容易で再利用可能
•化学的に不活性で、高温下でも酸やアルカリと反応しない
技術データ
| 特性 | 単位 | 代表値 |
|---|---|---|
| 格子定数 | m | a: 2.504×10⁻¹⁰ / c: 6.692×10⁻¹⁰ |
| 見掛け密度 | g/cm³ | 1.95–2.21 (板材/ルツボ) |
| ヘリウム透過率 | cm³/s | 1×10⁻¹² |
| ヌープ硬さ (ab 面) | N/mm² | 691.88 |
| 体積抵抗率 | Ω·cm | 3.11×10¹¹ |
| 引張強度 (‖ c 軸) | N/mm² | 153.86 |
| 曲げ強度 (‖ c 軸) | N/mm² | 243.63 |
| 曲げ強度 (⊥ c 軸) | N/mm² | 197.76 |
| 弾性率 | N/mm² | 235,690 |
| 熱伝導率 (200℃, a 軸) | W/m·K | 60.0 |
| 熱伝導率 (200℃, c 軸) | W/m·K | 2.60 |
| 熱伝導率 (900℃, a 軸) | W/m·K | 43.70 |
| 熱伝導率 (900℃, c 軸) | W/m·K | 2.80 |
| 絶縁破壊強度 (室温) | kV/mm | 56.0 |
| 純度 | % | ≥ 99.999 |
標準仕様
| 内径 (インチ) | 高さ (mm) | 壁厚 (mm) |
|---|---|---|
| 2″ | 200 – 400 | 0.7 – 1.0 |
| 3″ | 200 – 400 | 0.7 – 1.0 |
| 4″ | 200 – 400 | 0.7 – 1.0 |
| 5″ | 200 – 400 | 0.8 – 1.2 |
| 6″ | 200 – 400 | 0.8 – 1.2 |
| 8″ | 200 – 400 | 0.8 – 1.2 |
備考：上記は標準寸法であり、顧客のご要望に応じてカスタマイズ可能です。
輸送包装仕様
• 内層包装：アルミ箔複合フィルム
• 外層包装：段ボール箱
お問い合わせ
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