熱分解窒化ホウ素ルツボ (MBE 型) – PBN MBE ルツボ
PBN MBE ルツボは、化学気相成長（CVD）法で製造された超高純度（99.999%）の熱分解窒化ホウ素製ルツボです。バインダーや添加剤を含まず、2000 ℃ 超の熱安定性と優れた耐薬品性を備え、MBE システムにおける半導体・光電子材料の高精度薄膜成長に最適です。
基本パラメータ
| 特性 / Parameter | 数値 / Value |
|---|---|
| 製品グレード / 製品型番 | PBN MBE ルツボ |
| 材質 | 熱分解窒化ホウ素 (PBN) |
| 純度 | 99.999% |
| 見掛け密度 | 1.95 – 2.21 g/cm³ |
| 用途 | MBE、半導体薄膜成長 |
| 寸法 | カスタマイズ可能 (直径 ≤150 mm、高さ ≤300 mm) |
主な特長
•MBE 薄膜成長 – 超クリーンで安定した蒸発を実現し、膜厚と組成を精密に制御可能。
•半導体・オプトエレクトロニクス製造 – GaAs、InP をはじめとする先端材料に対応し、高性能デバイスの製造をサポート。
•超高純度（99.999%） – バインダーや添加剤を一切含まず、汚染のない環境を実現。
•優れた熱安定性（2000 ℃超）と耐薬品性 – 真空および高温環境下でも安定。
•幅広いサイズ対応 – OD12 × ID10 mm から Ø150 mm × H300 mm までカスタマイズ可能。
技術データ
| 特性 | 単位 | 代表値 |
|---|---|---|
| 格子定数 | m | a: 2.504×10⁻¹⁰ / c: 6.692×10⁻¹⁰ |
| 見掛け密度 | g/cm³ | 1.95–2.21 (板材/ルツボ) |
| ヘリウム透過率 | cm³/s | 1×10⁻¹² |
| ヌープ硬さ (ab 面) | N/mm² | 691.88 |
| 体積抵抗率 | Ω·cm | 3.11×10¹¹ |
| 引張強度 (‖ c 軸) | N/mm² | 153.86 |
| 曲げ強度 (‖ c 軸) | N/mm² | 243.63 |
| 曲げ強度 (⊥ c 軸) | N/mm² | 197.76 |
| 弾性率 | N/mm² | 235,690 |
| 熱伝導率 (200℃, a 軸) | W/m·K | 60.0 |
| 熱伝導率 (200℃, c 軸) | W/m·K | 2.60 |
| 熱伝導率 (900℃, a 軸) | W/m·K | 43.70 |
| 熱伝導率 (900℃, c 軸) | W/m·K | 2.80 |
| 絶縁破壊強度 (室温) | kV/mm | 56.0 |
| 純度 | % | ≥ 99.999 |
標準仕様
| 仕様 | 数値 |
|---|---|
| 最小直径 | OD12 mm × ID10 mm |
| 最大外径 | 150 mm |
| 最大高さ | 300 mm |
輸送包装仕様
• 内層包装：アルミ箔複合フィルム
• 外層包装：段ボール箱
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