熱分解窒化ホウ素（PBN）ルツボ（LECタイプ）は、液体封止チョクラルスキー（LEC）法用に設計されています。99.999%の高純度、優れた熱安定性、低ガス放出、耐薬品性を備え、半導体およびオプトエレクトロニクス分野においてGaAsやInP結晶の信頼性の高い成長を実現します。
| Product Grade. | PBN LEC Crucible |
| Material | PBN |
| Purity | 99.99%～99.999% |
| Apparent density | 1.95–2.21 g/cm³ |
| Dimensions | Customized |
1. PBN LECルツボ－製品概要
熱分解窒化ホウ素（PBN）は、化学気相成長（CVD）法により製造される先端セラミックスであり、結合剤や添加物を一切含まずに99.999%の高純度を実現します。高密度で平滑かつ非多孔質な構造を持ち、優れた熱安定性、耐薬品性、電気絶縁性を備えているため、高温半導体プロセスに最適です。
LECタイプのPBNルツボは、GaAsやInPなどの化合物半導体単結晶の育成に広く利用される液体封止チョクラルスキー（LEC）法用に設計されています。このプロセスでは、ルツボに多結晶原料を収容し、それを溶融させ、揮発性の損失を抑制する液体封止層（通常はB₂O₃）の下で徐々に単結晶として引き上げます。
低ガス放出、高い熱伝導性、長寿命を特長とするPBNルツボは、安定した成長条件と優れた結晶品質を保証し、半導体製造や研究に不可欠な存在です。
2. PBNルツボの主な特長
•超高純度（最大99.999%）– 結晶成長における無汚染環境を提供
•高温下での極めて低いガス放出 – 真空システムに最適
•均一な肉厚 – 安定した加熱と熱的安定性を確保
•高い熱伝導率と優れた耐熱衝撃性 – 2000℃からの急冷でも亀裂なし
•洗浄が容易で再利用可能 – 高密度・非多孔質表面により溶融物の付着を防止
•化学的に不活性 – 極限条件下でも酸・アルカリ・溶融金属に耐性
•最大3000℃まで安定 – 昇華せずに直接BとNに分解
3. 技術データ
| Property | Unit | Typical Value |
|---|---|---|
| Lattice Constant | m | a: 2.504×10-10 / c: 6.692×10-10 |
| Apparent Density | g/cm³ | 1.95–2.21 (Board) / 1.95–2.21 (Crucible) |
| Helium Transmissivity | cm³/s | 1×10-12 |
| Knoop Hardness (ab plane) | N/mm² | 691.88 |
| Volume Resistivity | Ω·cm | 3.11×1011 |
| Tensile Strength (‖ c-axis) | N/mm² | 153.86 |
| Bending Strength (‖ c-axis) | N/mm² | 243.63 |
| Bending Strength (⊥ c-axis) | N/mm² | 197.76 |
| Elastic Modulus | N/mm² | 235,690 |
| Thermal Conductivity (200°C, a-axis) | W/m·K | 60.0 |
| Thermal Conductivity (200°C, c-axis) | W/m·K | 2.60 |
| Thermal Conductivity (900°C, a-axis) | W/m·K | 43.70 |
| Thermal Conductivity (900°C, c-axis) | W/m·K | 2.80 |
| Dielectric Strength (RT) | kV/mm | 56.0 |
| Purity | % | ≥99.999 |
4. 提供可能な仕様
| Inside Diameter (inch) | Height (mm) | Wall Thickness (mm) |
|---|---|---|
| 3″ | 100 – 300 | 0.7 – 1.0 |
| 4″ | 100 – 300 | 0.7 – 1.0 |
| 5″ | 100 – 300 | 0.7 – 1.0 |
| 6″ | 100 – 300 | 0.7 – 1.2 |
| 7″ | 100 – 300 | 0.7 – 1.2 |
| 8″ | 100 – 300 | 1.0 – 1.5 |
注：上記の表は一般的なルツボサイズを示しています。その他の仕様についてはご要望に応じて対応可能です。
